1874年
卡尔·费迪南德·布劳恩用金属尖触碰半导体，发现了单向电流，为"猫须"整流器的出现奠定了基础。
1882年
爱迪生发现了灯泡中有单向流动的电流，后来这一现象被称为"爱迪生效应"。
1897年
约瑟夫·约翰·汤姆逊发现原子中有更小的粒子——电子。
1900年
马克斯·普朗克将辐射视作一份一份的"量子"，验证了"紫外灾变"的理论公式，催生了量子物理学。
1904年
约翰·弗莱明利用"爱迪生效应"发明了能整流的真空二极管，并将其应用于无线电通信。
1906年
李·德福雷斯特在真空二极管单向电流的通道中插入第三个栅电极，发明了真空三极管。
1912年，泰坦尼克号游轮撞上冰山，船上的船员不停地发出无线电求救信号，最终挽救了700多人的生命。
1914年，第一次世界大战爆发。战争爆发后，无线电的研究大大加速。
1926年
埃尔温·薛定谔提出了一组波动方程，人们将后者称为"薛定谔方程"。
1929年，在全球经济大萧条开始之前，量子物理学的"大厦"基本竣工。
1931年
英国物理学家艾伦·赫里斯·威尔逊提出了能带理论，为半导体研究奠定了基础。
1933年，德国纳粹上台。随后，爱因斯坦等一众科学家不得不"跃迁"到大西洋彼岸。
1939年
内维尔·弗朗西斯·莫特、沃尔特·肖特基和鲍里斯·达维多夫解释了金属和半导体间的整流现象。
1940年
拉塞尔·奥尔在硅内部发现了可产生单向电流的PN结，做出了半导体二极管。
1945年，第二次世界大战落下帷幕，广播和通信需求加速了半导体研究的脚步。
1949年
贝尔实验室的戈登·蒂尔拉出了第一根锗单晶棒，他的方法奠定了今天半导体制造的基础。
1952年
贝尔实验室的卡尔文·富勒发明了半导体扩散法，该技术可用于大规模制造P型半导体或N型半导体。
1954年
德州仪器公司的戈登·蒂尔和贝尔实验室的莫里斯·塔嫩鲍姆做出了硅晶体管。
贝尔实验室的卡尔文·富勒、杰拉尔德·皮尔逊和达里尔·蔡平发明了硅太阳能电池。
1956年
威廉·肖克利将硅晶体管技术带到了硅谷，成立了肖克利晶体管实验室。
1957年，苏联发射了人类第一颗人造卫星。此举强烈刺激了美国并促使其大力发展用于航天的晶体管技术。
1958年
戴蒙德军械引信实验室的杰伊·莱思罗普和詹姆斯·纳尔斯发明了光刻，1955年贝尔实验室的朱尔斯·安德勒斯和瓦尔特·邦德也产生了同样的想法。
德州仪器公司的杰克·基尔比发明了第一块集成电路，做出了用于演示的芯片实物。
1959年
仙童半导体公司的让·霍尼发明了平面工艺，成为后来制造芯片的基础。
仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯在让·霍尼的基础上发明了带互连功能的、可大规模制造的芯片。
1960年
贝尔实验室的穆罕默德·阿塔拉和姜大元发明了MOS场效晶体管。
贝尔实验室的扬·罗斯等人发明了半导体外延工艺。
1962年，古巴导弹危机爆发。此后，美苏科学家竞相研制半导体激光器。
1962年
麻省理工学院林肯实验室的罗伯特·雷迪克等人做出了实用的红外LED。
通用电气公司的罗伯特·霍尔等人发明了半导体红外激光器。
通用电气公司的尼克·何伦亚克等人发明了半导体红光激光器。
1963年
苏联约飞物理技术研究所的若列斯·阿尔费罗夫和美国瓦里安公司的赫伯特·克勒默分别独立提出了半导体异质结的想法。
仙童半导体公司的罗伯特·诺曼发明了SRAM。
1964年
美国西屋电气公司的哈维·内桑森团队制造出了第一个微机电系统器件。
1964－1965年
仙童半导体公司的鲍勃·维德勒设计了集成运算放大器μA702和μA709。
1965年
仙童半导体公司的戈登·摩尔提出了芯片中元件数量将每年翻倍的摩尔定律。
1967年
IBM公司的罗伯特·登纳德发明了DRAM。
贝尔实验室的姜大元和施敏发明了可用于存储器的浮栅晶体管。
1968年
仙童半导体公司的费德里科·法金发明了MOS场效晶体管的硅栅自对准工艺。
国家半导体公司的鲍勃·维德勒设计了集成运算放大器LM101，并发明了带隙基准电压源。
仙童半导体公司的戴维·富拉格设计了集成运算放大器μA741。
乔治·威尔逊发明了威尔逊电流镜。
1969年，美国的阿波罗11号登上月球，登月计划的实施极大刺激了芯片的发展。
1969年
马尔奇安·霍夫提出并设计了精简的CPU芯片架构。
贝尔实验室的威拉德·博伊尔和乔治·史密斯发明了CCD。
加州大学伯克利分校的罗纳德·罗勒指导学生拉里·内格尔等开发出了一个电路分析程序CANCER，后来唐纳德·彼得森教授将该程序开源，使之发展成为现在的SPICE。
1970年
5月，若列斯·阿尔费罗夫第一个做出了室温下连续工作的半导体激光器。6月，贝尔实验室的林巖雄和莫顿·潘尼施也做了出来。
汉斯·卡门青德发明了"555"定时器电路。
1971年
费德里科·法金设计并做出了第一颗CPU芯片4004。
英特尔的多夫·弗罗曼发明了EPROM。
贝尔实验室的迈克尔·汤普西特发明了CCD图像传感器。
美国无线电公司的雅克·潘科夫第一个用氮化镓做出了MIS结构的蓝光LED，但这种LED发出的光很微弱。
1974年
IBM公司的工程师罗伯特·登纳德提出了晶体管的"登纳德缩小规则"。
1975年
戈登·摩尔修改了摩尔定律，将芯片元件数量翻倍节奏改为每两年翻倍一次。
1977年
休斯飞机公司的伊莱·哈拉里发明了EEPROM。
施乐公司的林恩·康韦提出了适用于VLSI的λ设计规则，并和卡弗·米德共同撰写了《超大规模集成电路系统导论》。
1979－1980年
通用电气公司的贾扬特·巴利加和美国无线电公司的卡尔·惠特利分别发明了IGBT器件。
1984年
捷威公司的菲尔·摩比发明了Verilog硬件描述语言。
1985年，美日贸易摩擦加剧，美国迫使日元升值，同时发起对日本芯片的反倾销诉讼。
1985年
赛灵思公司的罗斯·弗里曼提出的FPGA芯片XC2064由比尔·卡特设计完成。
艾康电脑公司的罗杰·威尔逊和史蒂夫·弗伯开发了第一款ARM处理器。
1987年
IBM公司的林本坚提出了浸没式光刻的想法，2002年他在台积电公司将这一想法付诸实现。
张忠谋创办了台积电公司，开创了一种全新的晶圆代工模式。
日本东芝公司的舛冈富士雄发明了与非闪存。
1989年
日本名古屋大学的天野浩和赤崎勇第一个做出了P型氮化镓，随后做出了世界上第一个PN结型氮化镓蓝光LED，但该蓝光LED亮度不足以实用。
1990年
英国爱丁堡大学的P.德尼尔、D.伦肖、王国裕和陆明莹做出了第一颗单芯片CIS。
1991年
安谋公司的CEO罗宾·萨克斯比提出了处理器架构IP授权模式。
1993年
日亚化学公司的中村修二第一个用异质结做出了实用的高亮度蓝光LED产品。
2006年
法国原子能委员会电子与信息技术实验室的研究人员提出纳米片结构。
2015年，摩尔定律诞生50周年。
2017年
小芯片技术开始得到产业关注。
阿斯麦尔公司开始出售EUV光刻机。